Микроминиатюризация МДП-приборов 
 
 Полевые транзисторы со структурой металл-
 диэлектрик-полупроводник в универсальности 
 характеристик нашли широкое применение в интег-
 ральных схемах(ИС).Одна из основных задач микро-
 электроники заключается в повышении степени 
 интеграции и быстродействия ИС.Благодяря
 чрезвычайно гибкой технологии их изготовления 
 эта задача решается несколькими путями:
 1.Д-МОП технология(положен принцип двойной 
 диффузии, структура имеет планарный характер).
 2.V-МОП технология(принцип двойной диффузии,
 структура имеет вертикальный характер).
 3.N-МОП технология(пропорциональная микромини-
 атюризация обычного планарного МДП-транзистора).
 Такая технология основана на положении,что при 
 уменьшении длины канала в N раз для сохранения тех
 же характеристик транзистора другие его параметры
 (толщина окисла,ширина канала,напряжение питания) 
 необходимо уменьшить в N раз, а концетрацию леги-
 рующей примеси в подложке увеличить в N раз.
 Учитывая следующие соотношения :
     
 Получим что быстродейтствие,определяемое временем
 пролета носителей через канал возрастет в N раз,ток
 канала уменьшиться в N раз,рассеиваемая
 мощность уменьшиться в N*N раз.
 
 Эволюция размеров и параметров МДП-приборов 
 
 
 Идеи и принципы пропорциональной микроминиатюри-
 зации позволяют использовать масштабирование МДП-
 транзисторов при разработке  интегральных схем на 
 их основе.

 Микроминиатюризация процессоров Intel
 

 Принципы пропорциональной микроминиатюризации 
 позволили вплотную придвинуться к размерам базового
 элемента интегральных схем, ниже которых находиться 
 предел, обусловленный физическими ограничениями.
 Опыт разработки МДП-транзисторов с длинами канала 
 0.25-0.1 мкм показывают, что в таких приборах резко 
 нарастает количество новых физических явлений, в том 
 числе и квантовых.Принцип пропорциональной микро-
 миниатюризации при этих значениях линейных размеров 
 уже перестает работать.  
 Наряду с тенденцией уменьшения геометрических размеров
 каждого элемента в схемах проявляется тенденция в уве-
 личению числа элементов в схеме.Сейчас,плотность упа-
 ковки приближается к пределу,обусловленному
 физическими ограничениями.
 Проблемы,связанные с физическими ограничениями микроми-
 ниатюризации, требуют рассмотрения основных физических
 явлений,которые запрещают дальнейшее уменьшение линей-
 ных геометрических размеров транзисторов,
 напряжений и токов транзистора,ограничивают его быстро-
 действие и  плотность упаковки.
 Предельно допустимые значения параметров и основные
                   физические ограничения
 
                 Далее...