Глава 2.1
Физической основой работы полевого транзистора со структурой металл-диэлектрик-полупроводник является эффект поля. Напомним, что
В области инверсии концентрация неосновных носителей заряда в канале выше, чем концентрация основных носителей в объеме полупроводника. Изменяя величину напряжения на затворе, можно менять концентрацию свободных носителей в инверсионном канале и тем самым модулировать сопротивление канала. Источник напряжения в стоковой цепи вызовет изменяющийся в соответствии с изменением сопротивления канала ток стока и тем самым будет реализован эффект усиления. Таким образом, МДП транзистор является сопротивлением, регулируемым внешним напряжением. К нему даже в большей степени, чем к биполярным приборам, подходит историческое название "транзистор" так как слово "transistor" образовано от двух английских слов - "transfer" и "resistor", что переводится как "преобразующий сопротивление".
Рис. 2.1.1. Полевой транзистор со структурой металл-диэлектрик полупроводник.
Глава 1.18 | Содержание | Глава 2.2 |