Глава 1.4

Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора в активном режиме

Рассмотрим случай, когда на эмиттерный переход биполярного транзистора подано прямое, а на коллекторный - обратное смещение. Для p-n-p биполярного транзистора это U_э > 0, U_к < 0.

Для нахождения ВАХ в качестве входных параметров выбирают J_э, U_к; а выходных - J_к, U_э, из соображений удобства измерения. В (1.2.5) выразим (e^bUэ -1), подставим в J_к и получим

Следовательно

(1.4.1)

Соотношение (1.4.1) описывает семейство коллекторных характеристик I_к = f(U_к)с параметром I_э. Семейство эмиттерных характеристик U_э = f(I_э) с параметром U_к получим из (1.3.5).
Учитывая, что, получаем

,

,

(1.4.2)

Формулы (1.4.1) и (1.4.2) описывают характеристики транзистора, представленные на рис. 1.4.1.

Рис. 1.4.1. Вольт-амперные характеристики БТ в активном режиме:
а - семейство коллекторных кривых, б - семейство эмиттерных кривых.

Для активного режима, когда U_э > 0, U_к < 0, |U_к| << 0, выражения (1.4.1) и (1.4.2) переходят в

(1.4.3)