Приложение

Основные понятия и термины

Биполярные транзисторы

Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода, r_k

определяется как
(подробнее)

Дифференциальным коэффициентом передачи тока эмиттера

называется отношение приращения тока коллектора к вызвавшему его приращению тока эмиттера при постоянном напряжении на коллекторе:

   
(подробнее)

Диффузионная длина Lp

- характерное расстояние, на которое неравновесные носители распространяются от области возмущения.
(подробнее)

Коэффициентом обратной связи,

называется отношение приращения напряжения на эмиттере к приращению напряжения на коллекторе при постоянном токе через эмиттер:

   
(подробнее)

Коэффициент обратной связи по напряжению в биполярном транзисторе в схеме с общей базой

показывает, как изменится напряжение на эмиттерном переходе при единичном изменении напряжения на коллекторном переходе при условии, что ток эмиттера поддерживается постоянным.

(подробнее)

Коэффициент усиления по току биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

обозначается символом  , равен    и показывает, как изменяется ток коллектора I_к при единичном изменении тока базы I_б.
(подробнее)

Коэффициент усиления по току биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером

определяется следующим соотношением  .
(подробнее)

Сопротивление коллекторного перехода, r_к

определяется:

   
(подробнее)

Сопротивление эмиттерного перехода, r_э

определяется:

   
(подробнее)

Тепловым током коллектора I_K0

называют коллекторный ток I_K, измеренный в режиме разомкнутого эмиттерного перехода (режим холостого хода) в эмиттерной цепи I_эр = 0 при большом обратном смещении на коллекторном переходе.
(подробнее)

Транзистором

называется полупроводниковый прибор с двумя электронно-дырочными переходами, предназначенный для усиления и генерирования электрических сигналов. В транзисторе используются оба типа носителей - основные и неосновные, поэтому его называют биполярным.
Биполярный транзистор состоит из трех областей монокристаллического полупроводника с разным типом проводимости: эмиттера, базы и коллектора.
(подробнее)

Транзисторный эффект

- управление током во вторичной цепи через изменение тока в первичной цепи.
(подробнее)

Формулы Молла - Эберса

являются универсальными соотношениями, которые описывают характеристики биполярных транзисторов во всех режимах работы.
(подробнее)

Эффект Эрли

- изменение коэффициента передачи биполярного транзистора в следствии модуляции ширины базы при изменении коллекторного напряжения U_к.
(подробнее)

Полевые транзисторы

Величина   

характеризует отклонение в данной точке поверхностного потенциала от порогового значения.
(подробнее)

Внутреннее сопротивление R_i

определяется как     (2.4.2) и характеризует изменением напряжения в выходной цепи, необходимое для единичного увеличения тока стока при неизменном напряжении на затворе.
(подробнее)

Дебаевская длина экранирования L_D

определяется соотношением    .
(подробнее)

Заряд электронов Q_n в канале

определяется разностью между полным зарядом Q_SC и зарядом ионизированных акцепторов Q_В:     (2.9.7)
(подробнее)

Коэффициент усиления   

определяется как     (2.4.3) и характеризуется изменением напряжения в выходной цепи при единичном изменении напряжения во входной и неизменном токе стока.
(подробнее)

Крутизна переходной характеристики S

определяется как     (2.4.1) и характеризуется изменением тока стока при единичном увеличении напряжения на затворе при постоянном напряжении на стоке.
(подробнее)

Множитель n

- число, характеризующее отношение емкости поверхностных состояний C_ss = qN_ss и емкости обедненной области С_В к емкости подзатворного диэлектрика С_ОХ . Значения n могут лежать для реальных МДП структур в диапазоне от 1 до 5.
(подробнее)

Напряжением отсечки V^*_DS

называется напряжение стока V_DS, необходимое для смыкания канала.
(подробнее)

Напряжение смыкания V_G0

- напряжение на затворе, когда в квазиравновесных условиям (V_DS = 0) обедненные области р-n переходов смыкаются h(y) =0 (полевые транзисторы с затвором в виде p-n перехода).
(подробнее)

Полевой транзистор с затвором в виде р-n перехода

представляет собой сопротивление, величина которого регулируется внешним напряжением.
(подробнее)

Пороговое напряжение V_Т

- напряжение на затворе V_GS , соответствующее открытию канала в равновесных условиях  .
(подробнее)

Пороговым напряжением V_Т

называется напряжение на затворе МДП-транзистора V_GS в равновесных условиях (    ) соответствующее пороговому потенциалу    .
(подробнее)

Приборы с зарядовой связью

представляют собой линейку или матрицу последовательно расположенных МДП структур. Величина зазора между соседними МДП структурами невелика и составляет (1 - 2) мкм. ПЗС-элементы служат для преобразования оптического излучения в электрические сигналы и передачи информации от одного элемента электронной схемы к другому.
(подробнее)

Эффект поля

состоит в том, что под действием внешнего электрического поля изменяется концентрация свободных носителей заряда в приповерхностной области полупроводника.
(подробнее)