Глава 1.11

Объемное сопротивление базы

Объемное сопротивление базы БТ в схеме с общей базой определяется чисто геометрическими особенностями конструкции БТ. Для сплавного транзистора, как показано на рис. 1.11.1, общее сопротивление будет складываться из сопротивления активной области (1), промежуточной (2) и пассивной (3).

Рис. 1.11.1. Схема БТ, иллюстрирующая расчет объемного сопротивления базы.

Геометрический ряд этих сопротивлений дает значение    , где в скобках первое слагаемое - сопротивление цилиндра, второе - сопротивление одного кольца, третье - сопротивление другого кольца. Независимость от ширины цилиндра связана с тем, что ток базы рекомбинационный и зависит от объема вещества. Подставляя параметры:r_б = 5 Ом*см, W₁ = 40 Мом; W₂ = 5W₁; W₃ = 9W₁; R₂ = 1,5 R₁; R₃ = 5 R₁; получаем - r_б = 140 Ом.