Одним из наиболее распространенных методов изучения свойств структур металл-диэлектрик-полупроводник является метод, основанный на анализе зависимости емкости МДП структуры Cмдп от напряжения на затворе V_G, так называемый метод вольтфарадных характеристик (ВФК) или C-V метод. Для использования этого метода рассмотрим подробно теорию емкости МДП структур. В дальнейшем величину удельной емкости МДП структуры будем просто обозначать меткой C без индексов. Согласно определению емкости

.

Следовательно,  C=C_ox(1-dY_s/dV_G).
Таким образом, зависимость C  МДП структуры от напряжения будет определяться полученной нами ранее зависимостью Y_s (V_G), прриведенной на рисунке. Можно сказать, что в области сильной инверсии и обогащения емкость C будет слабо зависеть от величины V_G. В области обеднения и слабой инверсии следует ожидать участка с почти постоянной величиной емкости. Общая зависимость емкости от напряжения будет иметь вид кривой с ярко выраженным минимумом.

(9),

где C_ss,C_sc-емкость поверхностных состояний и емкость ОПЗ, определенные ранее.

Соотношение (9) позволяет нам построить эквивалентную схему МДП структуры, представив ее как последовательно соединенную емкость диэлектрика C_ox с параллельной цепочкой емкости ОПЗ C_sc и поверхностных состояний C_ss. На рисунке приведена эквивалентная схема емкости МДП структуры. Отметим, что такую схему можно было нарисовать, исходя из общих соображений об устройстве МДП структур.

 На рисунке приведены равновесные C-V кривые идеальных  МДП структур с разной толщиной диэлектрика.