4.1.
ВАХ биполярного транзистора
Для биполярного транзистора в схеме с общей базой активный режим
(на эмиттерном переходе - прямое напряжение, на коллекторном - обратное)
является основным. Поэтому в дальнейшем будет рассматриваться
транзистор в активном режиме, для p-n-p биполярного транзистора Uэ>0, Uк<0.
Эмиттерный переход работает в прямом направлении, и
через него происходит инжекция неосновных носителей в базу: дырок в
транзисторе p-n-p типа и электронов в транзисторе n-p-n. База должна
иметь достаточно малую толщину (по сравнению с диффузионной длиной),
чтобы инжектированные неосновные носители не успевали рекомбинировать
. Коллекторный переход, нормально смещенный в обратном направлении
"собирает" инжектированные носители, прошедшие через слой базы.
В зависимости от того, какой электрод является общим для входной и
выходной цепей, различаются три схемы включения транзистора:
Схема с ОЭ является наиболее
распространенной, так как она дает наибольшее усиление по мощности.
Но режим работы этой схемы сильно зависит от температуры, а усиление
от частоты.
Рис. 2 Схема включения транзистора с общим эмиттером (ОЭ).
Выходной ток - ток коллектора, входной ток - ток базы.
Схема с общей базой (ОБ). Эта схема дает меньшее
усиление по мощности, чем схема с ОЭ, но она значительно лучше по
частотным и температурным свойствам.
Схема с общим коллектором (ОК). Эта схема
включения отличается большим входным сопротивлением и малым
выходным. Т.к. она усиления по току не дает, ее называют эмиттерным
повторителем.
Существует четыре типа статических характеристик
транзистора при включении по схеме с ОЭ .
Входные характеристики - зависимость тока базы
от напряжения на базе при постоянном напряжении на коллекторе:
Iб = f(Uб); Uк = const. (Рис. 3б)
Выходные характеристики - зависимость тока
коллектора от напряжения на коллекторе при постоянном токе базы:
Iк = f(Uк); Iб = const. Iб3> Iб2> Iб1. (Рис. 3а)
Характеристики передачи тока - зависимость тока
коллектора от тока базы при постоянном напряжении на коллекторе:
Iк = f(Iб); Uк = const. (Рис. 3в)
Характеристика обратной связи по напряжению -
зависимость напряжения на базе от напряжения на коллекторе при
постоянном токе базы: Uб = f(Uк); Iб = const. (Рис. 3в)
Рис. 3 Статические характеристики транзистора при включении по схеме
с ОЭ.
Дифференциальным коэффициентом передачи тока базы
называется
приращение тока коллектора к вызвавшему его приращению тока базы
при постоянном напряжении на коллекторе (при нагрузки в цепи
коллектора).
Величина равна нескольким десяткам или сотням.
Между коэффициентами
передачи токов эмиттера и базы существует связь.