Тема доклада: Диоды Гетероперехода. Диоды Ганна.

Устройство и классификация полупроводниковых диодов.

Определение: Полупроводниковыми диодами называют электропреобразовательные полупроводниковые приборы с одним электрическим переходом, имеющие два вывода.

Устройство: К двум полупроводниковым областям, образующим переход, привариваются металические выводы, а вся система помещается в стеклянный, металический, пластиковый корпус, или опрессовывается смолой.
Устройство бескорпусного диффузионного диода:

  Обозначения:
  1.p-Si
  2.n-Si
  3.Вывод
  4.Омический контакт
  5.Смола
  6.Плёнка

Одна из полупроводниковых областей, образующих p-n переход, имеет более высокую концентрацию примесей и образует эммитер, а вторая полупроводниковая область - базу. Большинство полупроводниковых диодов выполняется на основе несимметричных электронно-дырочных переходов как типа p-n, так и n-p; используются также другие переходы: метал-полупроводник, переходы p-i и n-i типа и другие.

Различают плоскостные и точечные диоды. Первые получают сплавным или диффузионным методом. Точечные (площадь перехода значительно меньше) - изготавливают методом вплавления в базу диода металической проволоки с одновременной присадкой легирующего вещества.

Классификация: Для классификации используются разные признаки: метод изготовления, тип p-n перехода и т.д. Классификацируют диоды также по оновному материалу: кремнивые, германивые, из арсенида галия и др. Однако одним из основных признаков служит назначение прибора: выпрямительные диоды, детекторные, преобразовательные, переключательные, диоды-стабилизаторы напряжения(стабилитроны), параметрические диоды и др. Выделяют также диоды по физическим процессам: лавинно-пролетный диод, туннельный диод, фотодиод, светодиод и др.

Назад
  |Содерание|Вверх|  
Вперёд