Тема доклада: Диоды Гетероперехода. Диоды Ганна.

Лавинный пробой в полупроводниках.

Поэтому при прямом смещении в таких диодах до напряжений, больше или равных половине ширины запрещенной зоны, ток будет отсутствовать. С точки зрения выпрямительного диода ВАХ такого диода будет инверсной, то есть будет высокая проводимость при обратном смещении и малая при прямом. В связи с этим такого вида туннельные диоды получили название обращенных диодов. 1 Если двигаясь вдоль силовых линий электрического поля электрон на расстоянии, равном длине свободного пробега, наберет энергию, равную либо большую, чем ширина запрещенной зоны, то, неупруго рассеиваясь, этот электрон может вызвать генерацию еще одной электронно-дырочной пары. Дополнительно нагенерированные свободные носители также будут участвовать в аналогичном процессе. Это явление лавинного размножения свободных носителей в условиях сильного электрического поля получило название лавинного пробоя.

qLEпр ≥ Eg; W >> L

I0 - начальный ток; I - ток после явления лавинного размножения; Um - напряжение лавинного пробоя, U - напряжение, n - коэффициент, равный 3 или 5 для Ge или Si соответственно. Для несимметричного p+-n перехода значение напряжения лавинного пробоя VB :

Назад
  |Содерание|Вверх|  
Вперёд