Тема доклада: Диоды Гетероперехода. Диоды Ганна.

Влияние объемного сопротивления базы диода на прямые характеристики.

База диода на основе p-n перехода обычно легирована существенно меньше, чем эмиттер. В этом случае омическое сопротивление квазинейтральных областей диода будет определяться сопротивлением базы rб, его величина рассчитывается по классической формуле:

где r - удельное сопротивление, l - длина базы, S - площадь поперечного сечения диода. Напряжение диода изменяется на величину напряжения на базе, тогда ВАХ диода:

По мере роста прямого тока ВАХ p-n перехода будет расти не экспоненциально, а более медленно, и в предельном случае на ВАХ появится омический участок. Критерий вырождения rдиф = r6. Величина прямого тока при котором наступает вырождение:

У реальных диодов омический участок на ВАХ составляет основную часть характеристики.

Назад
  |Содерание|Вверх|  
Вперёд