Тема доклада: Диоды Гетероперехода. Диоды Ганна.

Влияние температуры на характеристики диодов.

При прямом смещении ток диода инжекционный, большой по величине и представляет собой диффузионную компоненту тока основных носителей. При обратном смещении ток диода маленький по величине и представляет собой дрейфовую компоненту тока неосновных носителей.

Зависимость тока от напряжения:

Для p-n+ перехода NA << ND обратный ток в этом случае обусловлен дрейфовой электронной компонентой:

Вблизи комнатной температуры Тк при ее небольших отклонениях можно записать

Тогда температурная зависимость тока преобразуется к следующему виду

aGe = 0,09 град-1 до T = 700, для кремния aSi = 0,13 град-1 до Т = 1200
В практических случаях используют понятие температуры удвоения обратного тока диода. Соотношение преобразуется к следующей форме, при этом:

где - температура удвоения тока T* = 10, 8, 7, 5, при значениях a = 0.07, 0.03, 0.1, 0.13.

Назад
  |Содерание|Вверх|  
Вперёд