Тема доклада: Диоды Гетероперехода. Диоды Ганна.

Влияние рекомбинации неравновесных носителей в ОПЗ p-n перехода на прямой ток диода.

При прямом смещении (VG > 0) p-n перехода величина произведения концентрации равновесных носителей p1·n1 будет много больше квадрата собственной концентрации. Произведение концентрации неравновесных носителей p, n будут больше концентрации равновесных носителей p1·n1 (p·n > p1·n1). Темп рекомбинации dn/dt будет максимален, если n + p + 2ni имеет минимальное значение. Т.е. когда квазиуровни Ферми находятся на равном расстоянии от середины запрещенной зоны. Максимальный темп регенерации:

gn = gp = g - коэффициенты захвата одинаковы
Nt - концентрация рекомбинационных уровней

Полный ток диода при прямом смещении будет складываться из диффузионной и рекомбинационной компонент:

- Аппроксимация экспоненциальной функцией. В случае, когда n = 1 Jdif, а при n = 2 Jrec.

Назад
  |Содерание|Вверх|  
Вперёд