Тема доклада: Диоды Гетероперехода. Диоды Ганна.

Вольт-амперная характеристика реального диода.

Обратная ветвь вольт-амперной характеристики: На рисунках показаны основные составляющие обратного тока реального кремниевого и германиевого диодов причем масштабы рисунков различны поскрльку ток Io германиевом диодена несколько порядков больше, чем в кремниевом .

Прямая ветвь вольт-амперной хапрактеристики: Величина прямого тока в диоде должна зависиеть от напряжения экспоненциально. Однако реальные характеристики отличаются от экспоненты по ряду причин. Ввиду резкой зависимости прямого тока от напряжения ВАХ обычно описывают беря ток I в качестве аргумента:

Отсюда видно, что напряжение U, соответствующее некоторому заданному значению прямого тока I тем больше, чем меньше обратный ток I0.У кремниевых диодов, ток I0 которых значительно меньше, чем у германивых, начальный участок прямой веттви очень пологий.

На этом участке ток Iу кремниевых диодов определяется в основном процессами рекомбинации носителей в переходе, которые при U > 0 преобладают над процессами тепловой генерации. Изменяется также вид вольт-амперной характеристики в зависимости от площади перехода S, с её увеличением растет тепловой ток, а следовательно, и пямая ветвь характеристики идет круче. Существенное влияние на ход зависимости оказывает омическое сопротивление базового слоя. Падение напряжения на нём выражается: , учитывая это падение напряжения зависмость напряжения от тока запишем в виде:

Начальный участок прямой ветви ВАХ во всех диодах отличается от кривой соответствующей идеализированному переходу. В германиевых диодах наклон кривой оределяется в основном значением теплового тока, а в кркмниевых диодах - током рекомбинации. Резкий рост прямого тока у германиевых диодов начинается, как правило, при меньших значениях прямого напряжения.

В начале крутого участка характеристика близка к экспоненциальной; здесь основную роль играет диффузия инжектированных в базу носителей (низкий уровень инжекции). В дальнейшем все больше сказывается влияние объёмного сопротивлния базы и других процессов. Характер ВАХ существенно различен для германиевых и кремниевых диодов, для диодов с толстой и тонкой базой и д.р.

Изменение вольтамперной характиристики с температурой: Для полупроводниковых приборов и, в частности, диодов эта зависимость весьма существенна. На рисунке показаны зависимости ВАХ дидов взависимости от температуры.

И тепловой I0 и ток Ig пар зарядов в переходе опреляющие обратную ветвь характеристики для германиевых и кремниевых диодов соответственно, увеличиваются с температуроу по закону:

Обратный ток с увеличением температуры увеличивается на каждые 10 градусов в два раза в Ge диодах и в 2.5 раза в Si диодах.

Для оценки температурной зависимости прямой ветви характеристики используется специальная величина - температурный коэффициент напряжения, показываю-щий изменение прямого напряжения за счёт изменения температры на один градус при постоянном значении прямого тока. Температурный коэффициент напряжения для Si и Ge диодов приближённо равен -2 мВ/с.

Назад
  |Содерание|Вверх|  
Вперёд