Фотодиоды с барьером Шоттки.

Устройство и энергетическая диаграмма фотодиода с барьером Шоттки.
На поверхности кристалла кремния нанесена тонкая (около 0,01 мкм) пленка золота, покрытая тонкой (около 0,05 мкм) пленка
диэлектрика (сернистого цинка), образующей так называемое просветляющее покрытие. Вследствие различия коэффициентов
преломления кремния, золота и сернистого цинка луч света с определенной длиной волны, отражаясь от границ раздела этих
пленок, проникает с очень малыми потерями через металлическую пленку в кристалл кремния. Так, например, при прохождении
светового потока, полученного гелий-неоновым лазером (
0,63 мкм), теряется лишь 5% мощности.
Если энергия фотона hv >
то в кристалле кремния, у его поверхности, наблюдается собственное поглощение.
Образовавшиеся электроны дрейфуют в поле перехода, создавая фототек. При высоких обратных напряжениях энергия движущихся в
запирающем слое частиц может оказаться достаточной для разрыва валентных связей (ударная ионизация). В этом случае может
возникнуть процесс лавинного размножения носителей заряда, характерный для лавинного пробоя перехода . Это явление
используется в так называемых лавинных фотодиодах, основой которых может служить не только барьер Шоттки, но и обычный р-п
переход.