Фотодиод типа p-i-n


Фотодиод типа p-i-n может быть как германиевым, так и кремниевым. Отличие его заключается в том, что р- и n-области полупроводника разделены слоем i - собственного полупроводника. Таким образом, в приборе создаются два перехода: типа p-i и типа n-i. Однако, если к фотодиоду приложено обратное напряжение такой величины, что области объемного заряда обоих переходов, простирающиеся в основном в i-слои, перекрываются и образуется как бы один переход, запирающий слой которого лежит в i-области.



Посмотреть>>>



Энергетическая диаграмма p-i-n фотодиода.


Базу в таком фотодиоде делают достаточно тонкой, так что основные акты собственного поглощения фотонов приходятся на i-область. Основное время движения генерированных носителей в приборе определяется их дрейфом через i-область:

Отсюда для частоты fгр = можно записать:

,


где , а - контактное поле в переходе.
Фотодиоды p-i-n, как и фотодиоды с симметричным р-п переходом, с успехом используются для обнаружения сигналов с частотами вплоть до 10 ГГц. Достоинства фотодиодов этого типа заключаются также в больших допустимых обратных напряжениях и меньшей емкости перехода.