Фотодиод типа p-i-n
Фотодиод типа p-i-n может быть как германиевым, так и кремниевым. Отличие его заключается в том, что р- и n-области
полупроводника разделены слоем i - собственного полупроводника. Таким образом, в приборе создаются два перехода: типа p-i
и типа n-i. Однако, если к фотодиоду приложено обратное напряжение такой величины, что области объемного заряда обоих
переходов, простирающиеся в основном в i-слои, перекрываются и образуется как бы один переход, запирающий слой которого
лежит в i-области.

Посмотреть>>>
Энергетическая диаграмма p-i-n фотодиода.
Базу в таком фотодиоде делают достаточно тонкой, так что основные акты собственного поглощения фотонов приходятся на
i-область. Основное время движения генерированных носителей в приборе определяется их дрейфом через i-область:

Отсюда для частоты fгр =
можно записать:
,
где
, а
- контактное поле в переходе.
Фотодиоды p-i-n, как и фотодиоды с симметричным р-п переходом, с успехом используются для обнаружения сигналов с
частотами вплоть до 10 ГГц. Достоинства фотодиодов этого типа заключаются также в больших допустимых обратных напряжениях
и меньшей емкости перехода.