Полевой транзистор с затвором в виде барьера Шоттки.






Структура полевого транзистора с затвором в виде барьера Шоттки.








Полевой транзистор с затвором Шоттки создается на полупроводниковой подложке из GaAs, на которой расположен эпитаксиальный слой n-типа (называемый каналом) толщиной около 0.2 мкм, получаемый эпитаксиальным выращиванием. Иногда между полупроводниковой подложкой и эпитаксиальным слоем вводится буферный слой. Буферный слой ограничивает диффузию примеси из подложки. Исток и сток полевого транзистора наносятся на активный эпитаксиальный слой с помощью фотолитографии. Между истоком и стоком расположен другой электрод, называемый затвором. Обычно длина затвора L составляет 0.5 - 0.7 мкм, а промежуток исток - сток составляет 2 мкм.

Во время подачи смещения на выводы полевого транзистора в эпитаксиальном слое образуются обедненный слой с низкой проводимостью и проводящий слой. Объемная трехмерная обедненная область, управляемая напряжениями на электродах определяет эквивалентную схему транзистора, а также зависимости элементов эквивалентной схемы от напряжений. Анализ пропорциональных зависимости обедненного слоя и лежит в основе моделирования транзистора.







Расположение элементов эквивалентной схемы полевого транзистора с затвором Шоттки в физической конструкции.

















Физическая эквивалентная схема полевого СВЧ транзистора.






Полевые транзисторы с затвором Шоттки находят применение в малошумящих СВЧ усилителях, мощных усилителях, генераторах, смесителях, модуляторах, ограничителях. Для разработчика СВЧ устройств необходимо знать характеристики прибора и его эквивалентную схему. Эквивалентная схема может иметь различную структуру. Важно, чтобы такая модель транзистора как можно точнее отражала поведение реального прибора в широком диапазоне частот и напряжений на выводах.









Поперечное сечение идеального полевого транзистора с затвором Шоттки с пространственным зарядом E(x), управляющим током стока.











Назад         Содержание         Далее