Зависимость Коэффициента М от напряжения Vg. Умножение в коллекторном переходе
Другой физический механизм, приводящий к накоплению объемных зарядов в базах тиристора,
связан с лавинным умножением в коллекторном переходе. При больших значениях обратного
напряжения на р-п переходе величина электрического поля Е в области пространственного заряда
может приблизиться к значению, соответствующему напряжению лавинного пробоя. В этом случае
на длине свободного пробега λ электрон или дырка набирают энергию qλE, большую, чем ширина
запрещенной зоны полупроводника qλE > Eg, и вызывают генерацию новой электронно-дырочной пары.
Это явление аналогично лавинному пробою в стабилитронах.
Если М- коэффициент ударной ионизации, определяемый как количество носителей, рожденных при лавинном
умножении одной частицей, то М описывается эмпирической формулой:
M=Iвых/Iвх=1/(1-(U/Um)n)
где Uм - напряжение лавинного пробоя, а значения коэффициента n для Ge, Si равно 3.
Таким образом, умножение в коллекторе может служить причиной накопления объемных зарядов
в базах тиристора. С формальной точки зрения,умножение в коллекторе эквивалентно росту
коэффициента передачи и величине коллекторного тока.